Huo, Zongliang: шукати на сайті Z-Library

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (104)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

A Novel Read Scheme for Read Disturbance Suppression in 3D NAND Flash Memory

Zhang, Yu, Jin, Lei, Jiang, Dandan, Zou, Xingqi, Liu, Hongtao, Huo, Zongliang

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 676 KB

english, 2017

Influence of rapid thermal annealing on the wafer warpage in 3D NAND Flash Memory

Li, Qi, Huo, Zongliang, Zhang, Yu, Zou, Xingqi, Gao, Jing, Yang, Chuan, Ding, Lei, Wu, Zhipeng, Li, Na, Zhang, Sen

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 863 KB

english, 2019

A fast read retry method for 3D NAND flash memories using novel valley search algorithm

Li, Qianhui, Wang, Qi, Xu, Qikang, Huo, Zongliang

Журнал:

IEICE Electronics Express

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.75 MB

english, 2018

Failure analysis and process improvement of copper diffusion

Yuan, Luyue, Xia, Zhiliang, Hu, Xiaolong, Liu, Jun, Huo, Zongliang

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.12 MB

english, 2019

Optimization of silicon nanocrystals growth process by low pressure chemical vapor deposition for non-volatile memory application

Yong Wang, Xiaonan Yang, Qin Wang, Shibing Long, Manhong Zhang, Zongliang Huo, Bo Zhang, Ming Liu

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.05 MB

english, 2011

[IEEE IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. - Tempe, Arizon, USA (Dec. 5, 2005)] IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. - Robust multi-bit programmable flash memory using a resonant tunnel barrier

Shieun Kim,, Seung Jae Baik,, Zongliang Huo,, Young-Jin Noh,, Chulsung Kim,, Jeong Hee Han,, In-Seok Yeo,, U-In Chung,, Joo Tae Moon,, Byung-Il Ryu,

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 787 KB

english, 2005

[IEEE 2014 IEEE 12th International Conference on Solid -State and Integrated Circuit Technology (ICSICT) - Guilin, China (2014.10.28-2014.10.31)] 2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT) - A page buffer design based on stable and area-saving embedded SRAM for flash applications

Cao, Huamin, Huo, Zongliang, Wang, Yu, Li, Ting, Liu, Jing, Jin, Lei, Zhang, Dengjun, Li, Di, Liu, Ming

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.29 MB

english, 2014

A novel 2 T P-channel nano-crystal memory for low power/high speed embedded NVM applications

Zhang, Junyu, Wang, Yong, Liu, Jing, Zhang, Manhong, Xu, Zhongguang, Huo, Zongliang, Liu, Ming

Журнал:

Journal of Semiconductors

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 285 KB

english, 2012

A 1G-cell floating-gate NOR flash memory in 65 nm technology with 100 ns random access time

Liu, LiFang, Wu, Dong, Liu, XueMei, Huo, ZongLiang, Liu, Ming, Pan, LiYang

Журнал:

SCIENCE CHINA Information Sciences

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.29 MB

english, 2015

Effect of Pre-annealing to Blocking Oxide on the Performance of Dual Trapping-layer Engineered Charge Trapping Memory

Chen, Guoxing, Huo, Zongliang, Han, Yulong, Li, Xinkai, Zhang, Dong, Liu, Su, Liu, Ming

Журнал:

Integrated Ferroelectrics

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 272 KB

english, 2014

[IEEE 2014 IEEE 12th International Conference on Solid -State and Integrated Circuit Technology (ICSICT) - Guilin, China (2014.10.28-2014.10.31)] 2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT) - Investigation of charge loss mechanisms IN 3D TANOS cylindrical junction-less charge trapping memory

Li, Xinkai, Huo, Zongliang, Jin, Lei, Wang, Yan, Liu, Jing, Jiang, Dandan, Yang, Xiaonan, Liu, Ming

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.01 MB

english, 2014

[IEEE 2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT) - Hangzhou, China (2016.10.25-2016.10.28)] 2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT) - String select transistor leakage suppression by threshold voltage modulation in 3D NAND Flash Memory

Yu Zhang,, Lei Jin,, Zhiliang Xia,, Dandan Jiang,, Xingqi Zou,, Qiang Xu,, Peizhen Hong,, Zhaoyun Tang,, Ming Zeng,, Jing Gao,, Shaoning Mei,, Zongliang Huo,

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 538 KB

english, 2016

The Optimization of Gate All Around-L-Shaped Bottom Select Transistor in 3D NAND Flash Memory

Zou, Xingqi, Jin, Lei, Jiang, Dandan, Zhang, Yu, Chen, Guoxing, Xia, Zhiliang, Huo, Zongliang

Журнал:

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.55 MB

english, 2018

A 1.2 mV ripple, 4.5 V charge pump using controllable pumping current technology

Huang, Cece, Wang, Yu, Chen, Teng, Fu, Liyin, Wang, Qi, Huo, Zongliang

Журнал:

IEICE Electronics Express

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.03 MB

english, 2017

Investigation of erase cycling induced TSG Vt shift in 3D NAND Flash Memory

Yan, Liang, Jin, Lei, Zou, Xingqi, Ai, Di, Li, Da, Zhang, An, Wei, Huazheng, Chen, Yi, Huo, Zongliang

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 547 KB

english, 2018

Investigation of Threshold Voltage Distribution Temperature Dependence in 3D NAND Flash

Zhao, Chenglin, Jin, Lei, Li, Da, Xu, Feng, Zou, Xingqi, Zhang, Yu, Song, Yali, Wei, Huazheng, Chen, Yi, Li, Chunlong, Huo, Zongliang

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 597 KB

english, 2018

A fast read retry method for 3D NAND flash memories using novel valley search algorithm

Li, Qianhui, Wang, Qi, Xu, Qikang, Huo, Zongliang

Журнал:

IEICE Electronics Express

Рік:

2018

Файл:

PDF, 1.75 MB

2018

[IEEE 2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC) - Xi'an, China (2019.6.12-2019.6.14)] 2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC) - Program Voltage Generator with Ultra-Low Ripple for 3D NAND Flash in Standard CMOS Process

Huang, Cece, Liu, Fei, Wang, Qianqian, Li, Chunlong, Huo, Zongliang

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 142 KB

english, 2019

A High Density and Low Cost Staircase Scheme for 3D NAND Flash Memory: SDS(Stair Divided Scheme)

Hong, Peizhen, Xia, Zhiliang, Yin, Huaxiang, Li, Chunlong, Huo, Zongliang

Журнал:

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 812 KB

english, 2019

Analysis and Optimization of Threshold Voltage Variability by Polysilicon Grain Size Simulation in 3D NAND Flash Memory

Yang, Tao, Xia, Zhiliang, Shi, Dandan, Ouyang, Yingjie, Huo, Zongliang

Журнал:

IEEE Journal of the Electron Devices Society

Рік:

2020

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.47 MB

english, 2020

Hydrogen Source and Diffusion Path for Poly-Si Channel Passivation in Xtacking 3D NAND Flash Memory

Shen, Xinshuai, Xia, Zhiliang, Yang, Tao, Liu, Lei, Dong, Jinwen, Zhou, Wenxi, Li, Chunlong, Huo, Zongliang

Журнал:

IEEE Journal of the Electron Devices Society

Рік:

2020

Файл:

PDF, 2.73 MB

2020

[IEEE 2020 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) - Sevilla (2020.10.12-2020.10.14)] 2020 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) - Adaptive Pulse Program Scheme to Improve the Vth Distribution for 3D NAND Flash

Li, Shuang, Du, Zhichao, Wang, Yu, Liu, Fei, Wang, Qi, Huo, Zongliang

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.15 MB

2020

Enhanced DNA Sequencing Performance Through Edge-Hydrogenation of Graphene Electrodes

Yuhui He, Ralph H. Scheicher, Anton Grigoriev, Rajeev Ahuja, Shibing Long, ZongLiang Huo, Ming Liu

Журнал:

Advanced Functional Materials

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 765 KB

english, 2011

Nanoelectrodes: Enhanced DNA Sequencing Performance Through Edge-Hydrogenation of Graphene Electrodes (Adv. Funct. Mater. 14/2011)

Yuhui He, Ralph H. Scheicher, Anton Grigoriev, Rajeev Ahuja, Shibing Long, ZongLiang Huo, Ming Liu

Журнал:

Advanced Functional Materials

Рік:

2011

Файл:

PDF, 3.41 MB

2011

Low frequency current noise in 2.5 nm MOSFET and fractal dimension of soft breakdown

Zongliang Huo, Lingfeng Mao, Mingzhen Xu, Changhua Tan

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 207 KB

english, 2003

Approaches for improving the performance of filament-type resistive switching memory

WenTai Lian, ShiBing Long, HangBing Lü, Qi Liu, YingTao Li, Sen Zhang, Yan Wang, ZongLiang Huo, YueHua Dai, JunNing Chen, Ming Liu

Журнал:

Chinese Science Bulletin

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 551 KB

english, 2011

Effect of bandgap engineering on the performance and reliability of a high-k based nanoscale charge trap flash memory

Zhu, Chenxin, Xu, Zhongguang, Huo, Zongliang, Zheng, Zhiwei, Cui, Yanxiang, Wang, Yumei, Liu, Jing, Li, Fanghua, Liu, Ming

Журнал:

Journal of Physics D Applied Physics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.25 MB

english, 2012

Effect of high temperature annealing on the performance of MANOS charge trapping memory

Lin Jin, ManHong Zhang, ZongLiang Huo, ZhaoAn Yu, DanDan Jiang, Yong Wang, Jie Bai, JunNing Chen, Ming Liu

Журнал:

Science China Technological Sciences

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 588 KB

english, 2012

Analyzing trap generation in silicon-nanocrystal memory devices using capacitance and current measurement

XiaoNan Yang, ManHong Zhang, Yong Wang, ZongLiang Huo, ShiBing Long, Bo Zhang, Jing Liu, Ming Liu

Журнал:

Science China Technological Sciences

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 651 KB

english, 2012

Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based ReRAM by Using a Metal Nanocrystal Covered Bottom Electrode

Liu, Qi, Long, Shibing, Lv, Hangbing, Wang, Wei, Niu, Jiebin, Huo, Zongliang, Chen, Junning, Liu, Ming

Журнал:

ACS Nano

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.24 MB

english, 2010

Investigation of charge loss mechanism of thickness-scalable trapping layer by variable temperature Kelvin probe force microscopy

Yulong Han,, Zongliang Huo,, Xinkai Li,, Guoxing Chen,, Xiaonan Yang,, Dong Zhang,, Yong Wang,, Tianchun Ye,, Ming Liu,

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 526 KB

english, 2013

Bipolar one diode–one resistor integration for high-density resistive memory applications

Li, Yingtao, Lv, Hangbing, Liu, Qi, Long, Shibing, Wang, Ming, Xie, Hongwei, Zhang, Kangwei, Huo, Zongliang, Liu, Ming

Журнал:

Nanoscale

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 546 KB

english, 2013

Unification of three multiphonon trap-assisted tunneling mechanisms

Zhang, Manhong, Huo, Zongliang, Yu, Zhaoan, Liu, Jing, Liu, Ming

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.60 MB

english, 2011

Performance enhancement of multilevel cell nonvolatile memory by using a bandgap engineered high-Îº trapping layer

Zhu, Chenxin, Huo, Zongliang, Xu, Zhongguang, Zhang, Manhong, Wang, Qin, Liu, Jing, Long, Shibing, Liu, Ming

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 544 KB

english, 2010

Wang, Yan, Lv, Hangbing, Wang, Wei, Liu, Qi, Long, Shibing, Wang, Qin, Huo, Zongliang, Zhang, Sen, Li, Yingtao, Zuo, Qingyun

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 294 KB

english, 2010

Direct Observation of Conversion Between Threshold Switching and Memory Switching Induced by Conductive Filament Morphology

Sun, Haitao, Liu, Qi, Li, Congfei, Long, Shibing, Lv, Hangbing, Bi, Chong, Huo, Zongliang, Li, Ling, Liu, Ming

Журнал:

Advanced Functional Materials

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.38 MB

english, 2014

[IEEE 2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS) - Shanghai, China (2011.11.7-2011.11.9)] 2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium Proceeding - Investigation of charge trap and loss characteristics for charge trap memory by electrostatic force microscopy

Zhu, Chenxin, Yang, Rong, Huo, Zongliang, Xu, Zhongguang, Shi, Dongxia, Liu, Jing, Zhang, Guangyu, Liu, Ming

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.01 MB

english, 2011

$ hbox{ZrO}_{2}$-Based ReRAM With a Cu Nanocrystal Insertion Layer]]>

Liu, Qi, Long, Shibing, Wang, Wei, Tanachutiwat, Sansiri, Li, Yingtao, Wang, Qin, Zhang, Manhong, Huo, Zongliang, Chen, Junning, Liu, Ming

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 391 KB

english, 2010

[IEEE 4th IEEE Conference on Nanotechnology, 2004. - Munich, Germany (16-19 Aug. 2004)] 4th IEEE Conference on Nanotechnology, 2004. - STTM - promising nanoelectronic DRAM device

Scung Jae Baik,, Zongliang Huo,, Seung-Hyun Lim,, In-Seok Yeo,, Siyoung Choi,, Chung, U.-I., Joo Tae Moon,

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 170 KB

english, 2004

[IEEE 2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS) - Shanghai, China (2011.11.7-2011.11.9)] 2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium Proceeding - Performance optimization for TANOS by using pre-treatment of plasma oxygenic ions

Xu, Zhongguang, Huo, Zongliang, Zhu, Chenxin, Liu, Jing, Liu, Ming

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 384 KB

english, 2011

[IEEE 2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Anaheim, CA (2013.4.14-2013.4.18)] 2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Compact analytical models for the SET and RESET switching statistics of RRAM inspired in the cell-based percolation model of gate dielectric breakdown

Shibing Long,, Xiaojuan Lian,, Cagli, C., Perniola, L., Miranda, E., Jimenez, D., Hangbing Lv,, Qi Liu,, Ling Li,, Zongliang Huo,, Ming Liu,, Sune, J.

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 446 KB

english, 2013

Effect of Damage in Source and Drain on the Endurance of a 65-nm-Node NOR Flash Memory

Sun, Zhong, Zhang, Manhong, Huo, Zongliang, Li, Shaobin, Yang, Yun, Qiu, Shengfen, Wu, Hanming, Liu, Ming

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 911 KB

english, 2013

[IEEE 2006 64th Device Research Conference - State College, PA, USA (2006.06.26-2006.06.28)] 2006 64th Device Research Conference - Sub-6F2 Charge Trap Dynamic Random Access Memory Using a Novel Operation Scheme

Huo, Zongliang, Baik, Seungjae, Kim, Shieun, Yeo, In-seok, Chung, U-in, Moon, Joo

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.61 MB

english, 2006

Cycling-Induced Peak-Like Interface State Generation in Si-Nanocrystal Memory Devices

Jiang, Dandan, Zhang, Manhong, Huo, Zongliang, Sun, Zhong, Wang, Yong, Zhang, Bo, Chen, Junning, Liu, Ming

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 344 KB

english, 2012

[IEEE 2007 IEEE Symposium on VLSI Technology - Kyoto, Japan (2007.06.12-2007.06.14)] 2007 IEEE Symposium on VLSI Technology - Band Engineered Charge Trap Layer for highly Reliable MLC Flash Memory

Huo, ZongLiang, Yang, JunKyu, Lim, SeungHyun, Baik, SeungJae, Lee, Juyul, Han, JeongHee, Yeo, In-Seok, Chung, U-In, Moon, Joo Tae, Ryu, Byung-II

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 615 KB

english, 2007

Reset Instability in $\hbox{Cu}/\hbox{ZrO}_{2}$:Cu/Pt RRAM Device

Li, Yingtao, Long, Shibing, Lv, Hangbing, Liu, Qi, Wang, Wei, Wang, Qin, Huo, Zongliang, Wang, Yan, Zhang, Sen, Liu, Su, Liu, Ming

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 302 KB

english, 2011

[IEEE 2012 4th IEEE International Memory Workshop (IMW) - Milan (2012.05.20-2012.05.23)] 2012 4th IEEE International Memory Workshop - High Performance MAHAHOS Memory Devices: Charge Trapping and Distribution in Bandgap Engineered Structure

Chenxin Zhu,, Zhongguang Xu,, Rong Yang,, Zongliang Huo,, Yanxiang Cui,, Dongxia Shi,, Yumei Wang,, Jing Liu,, Guangyu Zhang,, Fanghua Li,, Ming Liu,

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.06 MB

english, 2012

Thermally assisted magnetic switching of a single perpendicularly magnetized layer induced by an in-plane current

Bi, Chong, Huang, Lin, Long, Shibing, Liu, Qi, Yao, Zhihong, Li, Ling, Huo, Zongliang, Pan, Liqing, Liu, Ming

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 897 KB

english, 2014

Comparison of tunneling current assisted by neutral and positive traps with finite ranged core-potential

Sun, Zhong, Zhang, Manhong, Huo, Zongliang, Wang, Yong, Liu, Ming

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.43 MB

english, 2012

Improved performance of non-volatile memory with Au-Al2O3 core-shell nanocrystals embedded in HfO2 matrix

Xu, Zhongguang, Zhu, Chenxin, Huo, Zongliang, Cui, Yanxiang, Wang, Yumei, Li, Fanghua, Liu, Ming

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.30 MB

english, 2012